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(正版)LCRT5 晶体管测试仪 电阻+电容+二极管+电感+ESR+可控硅
- 颜色分类:sub充电线中文版LCR-T5英文版LCR-T5
- 装修及施工内容:水电工程
- 工作方式:数显式
- 精度:三位半
- 品牌:浩祺心
新版LCR-T5 已出,pcb颜色为黄色,欢迎采购。
语言分为中文版和英文版,大家根据自己的需要选择!
LCR-T5 晶体管测试仪 :电阻+电容+电感+电容ESR+单向、双向可控硅+发光二极管
可以usb 供电,也可以内部焊接锂电池,板子上已经有了电源管理!
重量:g
功能:
*新增开机电压检测功能
*自动检测NPN和PNP晶体管,N沟道和P沟道MOSFET,二极管(包括双二极管)、晶闸管、三极管、电阻器和电容器等件,
*自动测试出件的引脚,并显示在液晶上
*可以检测晶体管、MOSFET保护二极管等的放大系数和基数的确定发射极晶体管的正向偏置电压
*测量栅极阈值电压和栅电容的MOSFET
*显示器使用12864液晶(128 * 64个字符)
*较高的测试速度,有效期组件测试:在2秒(除在较大的电容器,大电容的测量还需要较长时间,测量的时间为1分钟是正常的)
*一键操作,开机测试,一键搞定。
*功率消耗关闭模屎小于20 nA的
*自动关机功能,可以避免不必要的浪费,节约电池能量,提高续航时间。
*******以下功能针对M8 版和M168 高级版 版本有所不同****请大家根据自己的需求选择*********
1。ATmega328微控制器。
2。1284 液晶显示器显示结果。
3。一键操作,自动关闭电源。
4。关断电流只有20nA,支持电池操作。
5。ATmega328在没有测量时用睡眠方式来降低电源消耗。
6。自动检测PNP和NPN型双极晶体管,N、P沟道MOSFET,JFET,二极管,双二极管,晶闸管可控硅。
7。自动检测引脚布局。
8。测量双极型晶体管的电流放大系数和发射结的阈值电压。
9。达林顿晶体管可以通过高阈值电压和高电流放大系数识别。
10。对双极型晶体管,MOSFET的保护二极管的检测。
11。测量MOSFET的阈值电压和栅极电容值。
12。支持两个电阻的测量和符号显示,最高四位数字和单位显示。显示的电阻符号两端是连接的测试仪探针编号(1-3)。所以电位器也可以测量。如果电位器调整到它的一端,测试仪不能分辨中间和两端的引脚。
13。电阻测量的分辨率是0.1欧姆,最高测量值50M欧姆。
14。可以被检测和测量一个电容器。最高四位数字和单位显示。数值可以是从25pf(8MHz时钟,50pF@ 1MHz的时钟)到100mF。分辨率可达1 pF(@ 8MHz时钟)。
15。可以对于2UF数值以上的电容器的等效串联电阻(ESR)电容值测量。分辨率为0.01欧姆和显示两位数数值。
16。可以对两个二极管显示正确方向的符号。此外,显示正向压降。
17。LED检测为二极管,正向压降比正常高很多。双发光二极管检测为双二极管。
18。齐纳二极管可以被检测惮如果反向击穿电压低于4.5V。这将显示为两个二极管,只能通过电压确定。探头围绕二极管的符号是相同的,在这种情况下,你可以通过700mV附近的阈值电压识别二极管真正的阳极!
19如果超过3个二极管类零件检测,建立二极管数目显示另外失败的消息。这只会发生,如果二极管连接到所有的三探针和至少有一个是型二极管。在这种情况下,你应该只连接两个探针和启动测量再次,一个接一个。
20。测量单个二极管反向的的电容值。双极型晶体管也还可以测量,如果你连接基极与集电极或发射极。
21。只需要一次测量找出全桥的连接。
22。数值低于25pf电容器通常检测不惮但可以与一个二极管并联或至少25pf电容器并联。在这种情况下,你必须减去并联电容值的部分。
23。电阻低于2100欧姆会测量电感,如果你的ATMEGA至少具有16K闪存。范围将从0:01mH超过20H,但精度不好。测量结果只显示单一件连接。
24。测试的时间是大约两秒钟,只有电容和电感测量会需要较长的时间。
25。软件可以设定电源自动关闭前的测量次数。
26。内建自检功能与可选的50Hz信号检查的时钟频率准确性和等待调用(ATmega168和ATmega328)。
27。可选设备校准端口输出的内阻和零失调自检能力的测量(ATmega168和ATmega328)。需要一个100nF到20uF电容连接到引脚1和引脚3之间补偿模拟比较器的失调电压。这可以减少40uF以上电容器的测量误差。用相同的电容器内部校正电压参考电压被发现调整内部参考测量ADC的增益。
如果测试电流超过维持电流,可控硅和双向可控硅可以被检测到。但是一些半导体可控硅和双向可控硅比该测试仪能提供的电流更高的触发电流。可提供的测试电流仅约6mA!
2。1284 液晶显示器显示结果。
3。一键操作,自动关闭电源。
4。关断电流只有20nA,支持电池操作。
5。ATmega328在没有测量时用睡眠方式来降低电源消耗。
6。自动检测PNP和NPN型双极晶体管,N、P沟道MOSFET,JFET,二极管,双二极管,晶闸管可控硅。
7。自动检测引脚布局。
8。测量双极型晶体管的电流放大系数和发射结的阈值电压。
9。达林顿晶体管可以通过高阈值电压和高电流放大系数识别。
10。对双极型晶体管,MOSFET的保护二极管的检测。
11。测量MOSFET的阈值电压和栅极电容值。
12。支持两个电阻的测量和符号显示,最高四位数字和单位显示。显示的电阻符号两端是连接的测试仪探针编号(1-3)。所以电位器也可以测量。如果电位器调整到它的一端,测试仪不能分辨中间和两端的引脚。
13。电阻测量的分辨率是0.1欧姆,最高测量值50M欧姆。
14。可以被检测和测量一个电容器。最高四位数字和单位显示。数值可以是从25pf(8MHz时钟,50pF@ 1MHz的时钟)到100mF。分辨率可达1 pF(@ 8MHz时钟)。
15。可以对于2UF数值以上的电容器的等效串联电阻(ESR)电容值测量。分辨率为0.01欧姆和显示两位数数值。
16。可以对两个二极管显示正确方向的符号。此外,显示正向压降。
17。LED检测为二极管,正向压降比正常高很多。双发光二极管检测为双二极管。
18。齐纳二极管可以被检测惮如果反向击穿电压低于4.5V。这将显示为两个二极管,只能通过电压确定。探头围绕二极管的符号是相同的,在这种情况下,你可以通过700mV附近的阈值电压识别二极管真正的阳极!
19如果超过3个二极管类零件检测,建立二极管数目显示另外失败的消息。这只会发生,如果二极管连接到所有的三探针和至少有一个是型二极管。在这种情况下,你应该只连接两个探针和启动测量再次,一个接一个。
20。测量单个二极管反向的的电容值。双极型晶体管也还可以测量,如果你连接基极与集电极或发射极。
21。只需要一次测量找出全桥的连接。
22。数值低于25pf电容器通常检测不惮但可以与一个二极管并联或至少25pf电容器并联。在这种情况下,你必须减去并联电容值的部分。
23。电阻低于2100欧姆会测量电感,如果你的ATMEGA至少具有16K闪存。范围将从0:01mH超过20H,但精度不好。测量结果只显示单一件连接。
24。测试的时间是大约两秒钟,只有电容和电感测量会需要较长的时间。
25。软件可以设定电源自动关闭前的测量次数。
26。内建自检功能与可选的50Hz信号检查的时钟频率准确性和等待调用(ATmega168和ATmega328)。
27。可选设备校准端口输出的内阻和零失调自检能力的测量(ATmega168和ATmega328)。需要一个100nF到20uF电容连接到引脚1和引脚3之间补偿模拟比较器的失调电压。这可以减少40uF以上电容器的测量误差。用相同的电容器内部校正电压参考电压被发现调整内部参考测量ADC的增益。
如果测试电流超过维持电流,可控硅和双向可控硅可以被检测到。但是一些半导体可控硅和双向可控硅比该测试仪能提供的电流更高的触发电流。可提供的测试电流仅约6mA!
下面是样机测试主要器件参数显示,供参考:
矫正步骤:
短路123测试点后开机,进入测试,屏幕提示校正步骤。当看到T4xxx提示时断开短接时候断开短接线。继续进行下一铂无需人为干预他会逐步进行。当提示请在1-3脚接入100NF以上电容时候,接入事先准备好的电容后程序会自动进入下一步。直到矫正结束重启。矫正结束.结束后会再次测试被接入电容,然后关机。
此宝贝电池为锂离子电池,平时电压低提示的时候,记得充电,充电接口为microusb口。可以平时用此口供电,如果内部安装了锂电池,此口也兼容锂电池充电接口。
裸板发货为单独裸板控制板,不包含电池、外壳、被测件,
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